Výrobca Číslo produktu:
TSM80N08CZ C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM80N08CZ C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 113.6W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12896690
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM80N08CZ C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
91.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3905 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
113.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TSM80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TSM80N08CZ C0G-DG
TSM80N08CZC0G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF1010EZPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9758
ČÍSLO DIELU
IRF1010EZPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMNH6008SCTQ
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
311
ČÍSLO DIELU
DMNH6008SCTQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
TSM10N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220AB
DMT6007LFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
